特价现货供应 N沟道逻辑场效应晶体管BSS138 SOT-23
| 价 格： | 0.80 | |
| 品牌/商标： | PHILIPS/Fairchild/长电 | |
| 型号/规格： | BSS138 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-ARR/陈列组件 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 20（V） | |
| 夹断电压： | 10（V） | |
| 极间电容： | 0.2（pF） | |
| 低频噪声系数： | 2（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
特价现货供应 N沟道逻辑场效应晶体管BSS138
dzsc/18/8635/18863577.jpgBSS138-7
品牌:Diodes
封装形式:SOT-23
引脚数量:3
温度范围:最小 -55 °C | 125 °C
文件大小:101 KB
功能应用:50V; 200mA N-channel enchancement mode field effect transistordzsc/18/8635/18863577.jpg
- 所属城市：广东 东莞
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特价现货供应 P -沟道增强型场效应晶体管AO3401
信息内容：30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-4.2A = 60mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.0A= 75mΩR , V @-2.5V, I @-1.0A = 120mΩ
特价现货供应 P沟道场效应管FDN338P
信息内容：dzsc/18/8645/18864578.jpgFDN338P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionSuperSOT -3 P-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.TMFeatures-1.6 A, -20 V, RDS(ON) = 0.13 @ VGS = -4.5 V RDS(ON) = 0.18 @ VGS = -2.5 V. Industry standard outline SOT-23 surface mount package using proprietary SuperSOTTM-3 design for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON). Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.SuperSOTTM-3SuperSOTTM-6Supe...
