| 价 格: | 面议 | |
| 品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格: | IRFP140N | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | V-FET/V型槽MOS | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 开启电压: | 4(V) | |
| 跨导: | 11000(μS) | |
| 极间电容: | 1400(pF) | |
| 漏极电流: | 33000(mA) | |
| 耗散功率: | 140000(mW) |
•导通电阻:RDS(on) max=52mΩ
•工作温度范围:-55 ~ 175°C
•封装形式:TO-247AC
•VDS=100V
•ID=33A
•Trr=250ns
•导通电阻:RDS(on) max=150mΩ •工作温度范围:-55 ~ 175°C •封装形式:TO-262 •VDS=200V •ID=18A •Trr=251ns
•导通电阻:RDS(on) max=79mΩ •工作温度范围:-55 ~ 150°C •封装形式:SO-8 •VDS=200V •ID=3.7A •Trr=100ns