价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF640NL | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 4(V) | |
跨导: | 6800(μS) | |
极间电容: | 1160(pF) | |
漏极电流: | 18000(mA) | |
耗散功率: | 150000(mW) |
•导通电阻:RDS(on) max=150mΩ
•工作温度范围:-55 ~ 175°C
•封装形式:TO-262
•VDS=200V
•ID=18A
•Trr=251ns
•导通电阻:RDS(on) max=79mΩ •工作温度范围:-55 ~ 150°C •封装形式:SO-8 •VDS=200V •ID=3.7A •Trr=100ns
•导通电阻:RDS(on) max=600mΩ •工作温度范围:-55 ~ 175°C •封装形式:IPAK(TO-251) •VDS=200V •ID=5A •Trr=140ns