IR进口原装/散新场效应管 IRFPG40 IRFPG40PBF现货
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | IRFPG40 IRFPG40PBF | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
IR进口原装/散新场效应管 IRFPG40 IRFPG40PBF
IR进口原装/散新场效应管 IRFPG40 IRFPG40PBF
IRFPG40 IRFPG40PBF产品规格
数据列表 IRFPG40
产品相片 TO-247-3
产品目录绘图 IRFP Series Side 1
IRFP Series Side 2
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 1000V (1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.3A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 3.5 欧姆 @ 2.6A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1600pF @ 25V
功率 - 150W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
其它名称 *IRFPG40PBF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
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原装 优势特价供应 FQP6P25 P沟道增强场效应管
信息内容：dzsc/18/8633/18863325.jpg制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: P-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.1 Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值） : 3.3 S 汲极/源极击穿电压: - 250 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 6 A 功率耗散: 90 W 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 50 零件号别名: FQP6P25_NL "
仙童进口原装场效应管 FFPF20UP60DN F20UP60DN 特价供应
信息内容：仙童进口原装场效应管 FFPF20UP60DN F20UP60DN 仙童进口原装场效应管 FFPF20UP60DN F20UP60DN FFPF20UP60DN F20UP60DN产品规格 参数 Datasheets FFPF20UP60DNProduct Photos TO-220F PkgCatalog Drawings Fast Diode CircuitTO-220F Pin OutStandard Package 50Category Discrete Semiconductor ProductsFamily Diodes, Rectifiers - ArraysSeries -Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.2V @ 10ACurrent - Reverse Leakage @ Vr 100µA @ 600VCurrent - Average Rectified (Io) (per Diode) 10AVoltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600VReverse Recovery Time (trr) 70nsDiode Type StandardSpeed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)Diode Configuration 1 Pair Common CathodeMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3 Full PackSupplier Device Package TO-220FPackaging Tube"
