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原装 优势特价供应 FQP6P25 P沟道增强场效应管

价 格: 面议
品牌:FAIRCHILD/仙童
型号:FQP6P25
种类:结型(JFET)
沟道类型:P沟道
导电方式:增强型
用途:NF/音频(低频)
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:ALGaAS铝镓砷
开启电压:22(V)
夹断电压:22(V)
跨导:22(μS)
极间电容:22(pF)
低频噪声系数:22(dB)
漏极电流:22(mA)
耗散功率:22(mW)

dzsc/18/8633/18863325.jpg

制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  MOSFET 功率   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
晶体管极性:  P-Channel   
 
电阻汲极/源极 RDS(导通):  1.1 Ohms   
 
正向跨导 gFS(值/最小值) :  3.3 S   
 
汲极/源极击穿电压:  - 250 V   
 
闸/源击穿电压:  +/- 30 V   
 
漏极连续电流:  6 A   
 
功率耗散:  90 W   
 
工作温度:  + 150 C   
 
安装风格:  Through Hole   
 
封装 / 箱体:  TO-220AB   
 
封装:  Tube   
 
最小工作温度:  - 55 C  
 
Standard Pack Qty:  50  
 
零件号别名:  FQP6P25_NL  
 

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结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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仙童进口原装场效应管 FFPF20UP60DN F20UP60DN 特价供应

信息内容:

仙童进口原装场效应管 FFPF20UP60DN F20UP60DN 仙童进口原装场效应管 FFPF20UP60DN F20UP60DN FFPF20UP60DN F20UP60DN产品规格 参数 Datasheets FFPF20UP60DNProduct Photos TO-220F PkgCatalog Drawings Fast Diode CircuitTO-220F Pin OutStandard Package 50Category Discrete Semiconductor ProductsFamily Diodes, Rectifiers - ArraysSeries -Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.2V @ 10ACurrent - Reverse Leakage @ Vr 100µA @ 600VCurrent - Average Rectified (Io) (per Diode) 10AVoltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600VReverse Recovery Time (trr) 70nsDiode Type StandardSpeed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)Diode Configuration 1 Pair Common CathodeMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3 Full PackSupplier Device Package TO-220FPackaging Tube"

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ST品牌场效应管 STP6NC60FP

信息内容:

dzsc/18/8636/18863626.jpg制造商: STMicroelectronics RoHS: 否 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 1.2 Ohms 汲极/源极击穿电压: 600 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 6 A 功率耗散: 40 W 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220FP 封装: Tube 最小工作温度: - 65 C Standard Pack Qty: 50

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