IRF630PBF假一赔十
| 价 格： | 3.00 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF630PBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 属性： | 属性值 |
dzsc/18/8629/18862915.jpg
dzsc/18/8629/18862915.jpg
| 产品型号 | IRF630PBF |
| 标准包装 | 800 |
| 原厂类别 | 分离式半导体产品 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 23A |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 117 毫欧 @ 14A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1450pF @ 25V |
| 功率 - | 3.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | 带卷 |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 朱文通
- 电话：
- 传真：
- 手机：15919879353
- QQ ：
IR2110假一赔十
信息内容：dzsc/18/8632/18863266.jpgdzsc/18/8632/18863266.jpgdzsc/18/8632/18863266.jpgdzsc/18/8632/18863266.jpg产品型号IR2110标准包装1000原厂类别分离式半导体产品系列HEXFET®FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C23A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C117 毫欧 @ 14A, 10VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1450pF @ 25V功率 - 3.1W安装类型表面贴装封装/外壳SOP16供应商设备封装SOP16包装带卷"
IRGP50B60PD1F原装
信息内容：dzsc/18/9956/18995613.jpgdzsc/18/9956/18995613.jpg 数据列表IRGP50B60PD1制造商IR标准包装25类别分离式半导体产品属性数据采集-数模转换器系列MOSFET N 通道，金属氧化物设置时间2.5µsFET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)150V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C104A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 62A, 10VId 时的 Vgs(th)（）5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds5270pF @ 50V功率 - 380W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3
