供应 IC 芯片IRFB52N15D原装进口
| 价 格： | 6.60 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFB52N15D | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | AM/调幅 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 51A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 32 毫欧 @ 36A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 89nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2770pF @ 25V
功率 - 3.8W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
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供应 IC 芯片IRF610原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.3A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.5 欧姆 @ 2A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 8.2nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 140pF @ 25V 功率 - 36W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1528 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRF610PBF"
供应 场效应管IRFB42N20DPBF原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 44A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 55 毫欧 @ 26A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 5.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 140nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3430pF @ 25V 功率 - 2.4W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRFB42N20DPBF"
