| 价 格: | 3.20 | |
| 品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格: | IRF4104 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | CC/恒流 | |
| 封装外形: | WAFER/裸芯片 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
场效应管 MOSFET N TO-220 40V 120A
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 150V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 51A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 32 毫欧 @ 36A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 89nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 2770pF @ 25V 功率 - 3.8W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件"
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.3A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 1.5 欧姆 @ 2A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 8.2nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 140pF @ 25V 功率 - 36W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1528 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRF610PBF"