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供应 IC 芯片IRF4104原装进口

价 格: 3.20
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF4104
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:CC/恒流
封装外形:WAFER/裸芯片
材料:GE-N-FET锗N沟道

 

场效应管 MOSFET N TO-220 40V 120A

 

  • 晶体管极性:ñ频道
  • 电流, Id 连续:120A
  • 电压, Vds :40V
  • 在电阻RDS(上):55mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 功耗, Pd:140W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
  • 功率, Pd:140W
  • 功耗:140W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 漏极电流, Id 值:75A
  • 热阻, 结至外壳 A:1.05°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 电压, Vgs :4V
  • 电流, Idm 脉冲:470A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5.5ohm

 

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
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供应 IC 芯片IRFB52N15D原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 150V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 51A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 32 毫欧 @ 36A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 89nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 2770pF @ 25V 功率 - 3.8W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件"

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供应 IC 芯片IRF610原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.3A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 1.5 欧姆 @ 2A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 8.2nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 140pF @ 25V 功率 - 36W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1528 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRF610PBF"

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