| 价 格: | 7.21 | |
| 品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格: | IRFP9240 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | VA/场输出级 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 12A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 500 毫欧 @ 7.2A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 44nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V
功率 - 150W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
产品目录页面 1528 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFP9240PBF
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 1.4 欧姆 @ 3A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 24nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 620pF @ 25V 功率 - 74W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件
场效应管 MOSFET N TO-220 40V 120A 晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:120A电压, Vds :40V在电阻RDS(上):55mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:140W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:140W功耗:140W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:75A热阻, 结至外壳 A:1.05°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:40V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:470A表面安装器件:通孔安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5.5ohm