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供应MOS场效应晶体管 IRF730

价 格: 0.60
品牌/商标:TW
型号/规格:IRF730
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MIX/混频
封装外形:WAFER/裸芯片
材料:P-FET硅P沟道
开启电压:4(V)
夹断电压:400(V)
漏极电流:5.5(mA)
耗散功率:75(mW)

我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF730,质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!

产品介绍:IRF730是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET,具有快速开关的特点。

芯片基本性质:

芯片型号Model

IRF730

芯片尺寸:

3.20*3.58

VDSS

400V

RDS(on)

1(max)

ID

5.5A

正面电极金属

背面电极金属

芯片基本性质:

参考封装形式:

芯片型号

封装外型

封装类型

     IRF730

                     TO-220

塑封

我公司可提供相关型号详细资料。

丹东鑫原电子有限公司
公司信息未核实
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信息内容:

我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF630,质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!产品介绍:6N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET,具有快速开关的特点。芯片基本性质::芯片型号ModelIRF630芯片尺寸:2.69*3.12VDSS200VRDS(on)0.4(max)ID9.0A正面电极金属铝背面电极金属银芯片基本性质:参考封装形式:芯片型号封装外型封装类型 IRF630 TO-220、塑封我公司可提供相关型号详细资料。

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