供应ZMM4V3ST稳压二极管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | ZMM4V3二极管 | |
| 品牌/商标： | SAST（先科） | |
| 封装形式： | DIP/SMD | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 |
供应ZMM4V3 ZMM4V3ST稳压二极管
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ZMM4V3稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见图1,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。
稳压管的主要参数： 稳定电压稳定电压稳定电压稳定电压Vz 稳定电压就是稳压二极管在正常工作时，管子两端的电压值。这个数值随工作电流和温度的不同略有改 稳压管 变，既是同一型号的稳压二极管，稳定电压值也有一定的分散性，例如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6～7.5V。
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供应ZMM3V3 ST 稳压二极管
信息内容：供应ZMM3V3 ST ZMM3V3S QQ1756378364 电话:18664444616 长期供货 ZMM3V3ST稳压二极管贴片二极管参数 单位 条件 FMV 正向压降 见图1 0.55 0.6 V 在1A时 25JTC=o 0.71 0.73 V 在2A时 0.875 0.9 V 在3A时 0.5 0.55 V 在1A时 125JTC=o 0.61 0.63 V 在2A时 0.77 0.79 V 在3A时 RMI 反向泄漏T稳压二极管 热机械规格 参数 数值 单位 条件 JT 结温范围 —40到150 Co stgT 存储温度范围 —40到150 Co thJLR热阻结到铅 80 Co/W DC操作（见图4） Wt 约计重量 0.33(0.12) 克 案例风格 DO-204AL(DO-41) （2） 装一平方英寸的电路板，热棒连接到带领包2毫米 使用到的公式： ()CJREVthJCTTPdPdR=−+× ()()@(/)FAVFMFAVPdIVID=×(见图6) 1(1)REVRRPdVID=×−;1@80%RRIVrated=RV
供应IN5399 MIC IN5399整流二极管
信息内容：IN5399MIC整流二极管长期供货 QQ1756378364 电话:18664444616 IN5399 1000 1.5 50 5.0 1N5399硅整流二极管 1000V,1.5A, 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
