供应ZMM3V3 ST 稳压二极管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | ZMM3V3 ST | |
| 品牌/商标： | SAST（先科） | |
| 封装形式： | DIP | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 |
供应ZMM3V3 ST ZMM3V3S QQ1756378364 电话:18664444616 长期供货
ZMM3V3ST稳压二极管贴片二极管参数 单位 条件 FMV 正向压降 见图1 0.55 0.6 V 在1A时 25JTC=o 0.71 0.73 V 在2A时 0.875 0.9 V 在3A时 0.5 0.55 V 在1A时 125JTC=o 0.61 0.63 V 在2A时 0.77 0.79 V 在3A时 RMI 反向泄漏T稳压二极管
热机械规格 参数 数值 单位 条件 JT 结温范围 —40到150 Co stgT 存储温度范围 —40到150 Co thJLR热阻结到铅 80 Co/W DC操作（见图4） Wt 约计重量 0.33(0.12) 克 风格 DO-204AL(DO-41) （2） 装一平方英寸的电路板，热棒连接到带领包2毫米
使用到的公式： ()CJREVthJCTTPdPdR=−+× ()()@(/)FAVFMFAVPdIVID=×(见图6) 1(1)REVRRPdVID=×−;1@80%RRIVrated=RV- 所属城市：广东 汕头
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供应IN5399 MIC IN5399整流二极管
信息内容：IN5399MIC整流二极管长期供货 QQ1756378364 电话:18664444616 IN5399 1000 1.5 50 5.0 1N5399硅整流二极管 1000V,1.5A, 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
供应IN5819 MIC IN5819整流二极管
信息内容：供应IN5819 MIC5819 长期供货,QQ156378364 电话:18664444616 1N5819肖特基整流器轴向引线优化了非常低的正向压降，中度泄漏。典型应用在开关电源，转换器，免费续流二极管，反向电池保护。1.体积小，轴向引线轮廓2.高纯度，高温度提高机械强度和防潮环氧封装3.极低的正向电压降4.能在高频下工作5.加强了保护环的耐用性和长期可靠性。 额定电压 零件号码 1N5819 40 RWMV 工作峰 参数 数值 单位 条件 ()FAVI平均正向电流 见图4 1.0 安培 50％占空比@热释光= 90°C时，矩形波的形式 FSMI浪涌电流 见图6 225 安培 5µs时间为3µs正弦或矩形。脉冲 以下任何ratedload条件和额定VRRMapplied 35 10ms的正弦或矩形6毫秒。脉冲 电气规格
