价 格: | 190.00 | |
加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | 国产 | |
型号/规格: | D882 TO-126 | |
应用范围: | 放大 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | PNP型 | |
集电极允许电流ICM: | 标准(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 标准(W) | |
截止频率fT: | 50(MHz) | |
结构: | 点接触型 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 塑料封装 |
型 号: | D882 |
通用参数: | 电流参数:IC=3A |
国产E13003 TO-126 1.18 1.42 1.63 1.84芯片品质稳定,价格优惠,欢迎试样。还有13001 8050 9014 B772 D882等常用三极管大量供应,价格优惠。
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管肖特基二极管结构原理图(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。 是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A&ra...