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供应三极管13003 1.18芯片 TO-126

价 格: 165.00
是否提供加工定制:
品牌/商标:国产
型号/规格:13003 TO-126
应用范围:功率
材料:硅(Si)
极性:NPN型
击穿电压VCBO:标准(V)
集电极允许电流ICM:1.5(A)
集电极耗散功率PCM:标准(W)
截止频率fT:10(MHz)
结构:点接触型
封装形式:直插型
封装材料:塑料封装

国产E13003 TO-126  1.18 1.42 1.63 1.84芯片品质稳定,价格优惠,欢迎试样。还有13001 8050  9014  B772  D882等常用三极管大量供应,价格优惠。

 

 

 

 

邓程宝
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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供应二极管SS310

信息内容:

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管肖特基二极管结构原理图(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。 是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A&ra...

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长期现货供应开关三极管S8050

信息内容:

8050三级管的集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 集存器发射电(VCEO):25 PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W 3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K 2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

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