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3DD10NPN硅低频大功率晶体管品牌 国产 型号 3DD10应用范围 功率 功率特性 大功率频率特性 低频 极性 NPN型结构 面接触型 材料 硅(Si)封装形式 直插型 封装材料 金属封装集电极允许电流 20(A) 集电极允许耗散功率 200(W) 营销方式 厂家直销 产品性质 新品特点:产品采用三重扩散工艺,抗烧毁能力强,二次击穿耐量高,温度稳定性好,抗热疲劳能力强。应用范围:低速开关,低频功率放大,电源调整。使用温度范围:-55-+175℃质量等级:国军标执行标准:GBJ33A-97产品电压:50V-600V A-I档dzsc/18/8540/18854089.jpg"