3DD10NPN硅低频大功率晶体管
| 价 格： | 1.00 | |
| 应用范围： | 放大 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | 3DD10 | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 材料： | 硅(Si) |
| 3DD10NPN硅低频大功率晶体管 |
| 品牌 国产 型号 3DD10 应用范围 功率 功率特性 大功率 频率特性 低频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 集电极允许电流 20（A） 集电极允许耗散功率 200（W） 营销方式 厂家直销 产品性质 新品 特点：产品采用三重扩散工艺，抗烧毁能力强，二次击穿耐量高，温度稳定性好，抗热疲劳能力强。 应用范围：低速开关，低频功率放大，电源调整。 使用温度范围：-55-+175℃ 质量等级：国军标 执行标准：GBJ33A-97 产品电压：50V-600V A-I档 |
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郑汉茂（个体经营）
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