ZD5.1(玻封)
用途:用于稳压电路
特征:稳压范围5.1V (±5%), 适用于DO35封装,耗散功率0.5W
芯片尺寸 | 320µm×320µm |
芯片厚度(含银点) | 175±10µm |
金属层 | 正面:Ag 点(40.0±10µm) 背面:Ag (1.9±0.2µm) |
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 值 | 典型值 | 单位 |
稳压值 | Vz | Iz=5.0mA | 4.8 | 5.4 | 5.1 | V |
输出阻抗 | ZZT | IZT=5.0mA | 60 | Ω | ||
ZZK | IZK=1.0mA | 480 | Ω | |||
反向漏电流 | IR | VR=2.0V | 2 | µA | ||
正向电压 | VF | IF=10mA | 0.9 | V |
序号
扬州晶新微电子有限公司
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供应肖特基二极管/芯片信息内容:型号: SBDP70, SBDP54, SBDP40, SBD0545, SBD120, SBD140, SBD160, SBD240, SBD260, SBD340, SBD540, SBD840芯片尺寸:0.28x0.28, 0.35x0.35, 0.81x0.81, 0.89x0.89, 1.00x1.00, 1.27x1.27, 1.52x1.52, 1.83x1.83, 2.13x2.13, 2.34x2.34 公司主要产品:高频小信号晶体管、功率晶体管、达林顿管、节能灯电子镇流器晶体管、肖特基二极管、开关二极管、稳压二极管、开关三极管、IC、SCR晶闸管晶体管、大口控硅、小口控硅。 扬州晶新微电子有限公司是中日台资从事半导体分立器件生产的企业。公司成立于1998年底。公司现拥有4”平面,4”台面、5”和6”共计四条芯片生产线。其中4”平面线月生产能力30000片,5”生产线月生产能力50000片,主要生产小信号晶体管芯片、开关晶体管芯片、大功率晶体管芯片、开关二极管芯片、肖特基芯片、达林顿芯片、高频晶体管芯片和双极IC芯片;4”台面线尚在建设中,设计能力10万片/月,2010年下半年投产,主要产品有二极管、大功率三极管、可控硅、放电管等产品;建设中的6”MOS IC芯片生产线,设计能力30000片/月,预计2012年底投产,主要生产IC卡芯片、存储器芯片、单片机芯片、语音和视听IC芯片等... 供应肖特基二极管芯片RB715信息内容:RB715肖特基二极管芯片(4")用途:高速开关应用、电路保护、电压箝位特征:正向压降小、结电容小、适用于片式封装、有效图形数133600只。芯片尺寸230µm×230µm压焊区尺寸Φ120µm芯片厚度180±20µm锯片槽宽度40µm金属层正面:Al (2.3±0.2µm)背面:Au (1.4±0.2µm)电特性(Ta=25℃) 参数名称符号测试条件最小典型值单位正向压降VFIF=0.1mA 0.370.31V反向击穿电压VRIR=100µA40 45V反向漏电流IRVR=10V 1 µA结电容CjVR=1V,f=1MHZ 2 PF反向恢复时间trrIF=IR=5mA,RL=100Ω,IRR=0.11R1 ns序号 |