价 格: | 面议 | |
产品类型: | 肖特基管 | |
是否进口: | 否 | |
品牌/商标: | 晶新 | |
型号/规格: | SBD | |
主要参数: | 200~410W | |
用途: | 用于通信电源、变频器 | |
备注: | 属一种低功耗、超高速半导体器件 |
型号: SBDP70, SBDP54, SBDP40, SBD0545, SBD120, SBD140, SBD160, SBD240, SBD260, SBD340, SBD540, SBD840
芯片尺寸:0.28x0.28, 0.35x0.35, 0.81x0.81, 0.89x0.89, 1.00x1.00, 1.27x1.27, 1.52x1.52, 1.83x1.83, 2.13x2.13, 2.34x2.34
公司主要产品:高频小信号晶体管、功率晶体管、达林顿管、节能灯电子镇流器晶体管、肖特基二极管、开关二极管、稳压二极管、开关三极管、IC、SCR晶闸管晶体管、大口控硅、小口控硅。
扬州晶新微电子有限公司是中日台资从事半导体分立器件生产的企业。公司成立于1998年底。公司现拥有4”平面,4”台面、5”和6”共计四条芯片生产线。其中4”平面线月生产能力30000片,5”生产线月生产能力50000片,主要生产小信号晶体管芯片、开关晶体管芯片、大功率晶体管芯片、开关二极管芯片、肖特基芯片、达林顿芯片、高频晶体管芯片和双极IC芯片;4”台面线尚在建设中,设计能力10万片/月,2010年下半年投产,主要产品有二极管、大功率三极管、可控硅、放电管等产品;建设中的6”MOS IC芯片生产线,设计能力30000片/月,预计2012年底投产,主要生产IC卡芯片、存储器芯片、单片机芯片、语音和视听IC芯片等集成电路芯片,同时承接海内外代工业务。
公司拥有一支实力雄厚的生产队伍,已通过ISO9001:2000质量体系认证,获得制造工厂认可证书。
扬州中芯晶来半导体制造有限公司是国内设计、制造和经营半导体分立器件的公司,至今已有40多年历史。该公司在原国企扬州晶来半导体(集团)有限责任公司改制重组的基础上,由日本国际电子贸易株式会社与扬州工业资产经营管理有限责任公司合资组建的中日合资企业。公司注册资本金3204万美元,其中日本国际贸易株式会社为2600万美元,占81%,扬州市工业资产经营管理有限责任公司为604万美元,占19%。新公司优化组合原晶来集团的优质资源,包括人员、产品、工艺技术、生产装备、市场、商标等有形资产和无形资产。公司占地面积10430平方米,有净化厂房3000平方米,其中100级净化厂房300平方米。公司产品有:NPN/PNP型小信号晶体管、功率开关晶体管、高/低频大功率晶体管、达林顿晶体管、单/双向可控硅、大功率晶闸管/整流管、开关二极管等。产品广泛应用于电力电子、调光调压电路、新型节能绿色光源等领域。“晶来”牌半导体产品自1997年起被评为江苏省产品和扬州市产品。目前,公司拥有从日本、美国等国家引进的多条半导体器件芯片生产线其中4英寸平面、台面生产线各一条,年生产能力达80万片。公司拥有一支训练有素的产品/工艺开发、生产设备调试维护、市场开拓和服务队伍,拥有经资质的仪器仪表计量中心以及产品可靠性试验的例行试验中心。
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RB715肖特基二极管芯片(4")用途:高速开关应用、电路保护、电压箝位特征:正向压降小、结电容小、适用于片式封装、有效图形数133600只。芯片尺寸230µm×230µm压焊区尺寸Φ120µm芯片厚度180±20µm锯片槽宽度40µm金属层正面:Al (2.3±0.2µm)背面:Au (1.4±0.2µm)电特性(Ta=25℃) 参数名称符号测试条件最小典型值单位正向压降VFIF=0.1mA 0.370.31V反向击穿电压VRIR=100µA40 45V反向漏电流IRVR=10V 1 µA结电容CjVR=1V,f=1MHZ 2 PF反向恢复时间trrIF=IR=5mA,RL=100Ω,IRR=0.11R1 ns序号
GS023肖特基二极管芯片(4")用途:高速开关应用、电路保护、电压箝位特征:正向压降小、结电容小、适用于片式封装、有效图形数13360只芯片尺寸230µm×230µm压焊区尺寸Φ120µm芯片厚度200±20µm锯片槽宽度40µm序号