价 格: | 0.10 | |
加工定制: | 否 | |
产品类型: | 整流管 | |
是否进口: | 是 | |
品牌/商标: | PHILIPS/飞利浦 | |
型号/规格: | BAT74 | |
材料: | 硅(Si) | |
主要参数: | 平均整流 (Io)200mA (DC) | |
用途: | 超高速开关 | |
备注: | 电压 - (Vr)() 30V |
数据列表 BAT74
标准包装 3,000
类别 分离式半导体产品
家庭 二极管,整流器 - 阵列
系列 -
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)() 800mV @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电 2μA @ 25V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 200mA (DC)
电压 - (Vr)() 30V
反向恢复时间(trr) 5ns
二极管类型 肖特基
速度 小信号 =< 200mA (Io),任意速度
二极管配置 2 个独立式
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-253-4, TO-253AA
供应商设备封装 SOT-143B
包装 带卷 (TR)
应用程序
超高速开关
电压夹紧
保护电路
阻塞二极管。
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标准包装 3,000类别 过电压,电流,温度装置家庭 TVS - 二极管系列 SMBJ电压 - 反向隔离(标准值) 10V 电压 - 击穿 11.1V 功率(瓦特) 600W 电极标记 单向 安装类型 表面贴装 封装/外壳 DO-214AA, SMB 供应商设备封装 SMB 包装 带卷 (TR)
数据列表 NTD20N03L27产品相片 TO-252标准包装 2,500类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点 逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss) 30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 27 毫欧 @ 10A, 5VId 时的 Vgs(th)() 2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs 18.9nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds 1260pF @ 25V功率 - 1.75W安装类型 表面贴装封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63供应商设备封装 DPAK-3包装 带卷 (TR) 功率MOSFET20安培,30伏,N DPAK?频道这种逻辑水平垂直功率MOSFET是一个通用目的的部分这提供了“的设计”在今日推出一个低成本的能力包。雪崩能源问题使这部分的一个理想的设计。流失到源二极管有一个理想的速度,但疲弱的经济复苏特性免费可用的包超?低RDS(在)、单基地,先进的技术香料参数可用二极管的特点是使用?在桥电路IDSS和VDS()指定的高温高雪崩能源指定JEDAC?ESD额定HBM类1,MM甲级、CDM 0级 由于价格有波动幅度,本公司均已0.1代替所有产品,如需采购请加及时联系本公司深圳市广鑫世纪电子有限公司电话:0755-88824483传真:82570181联系电话:18923788872Email...