1.75W功率管 NTD20N03L27T4G 进口ON功率管NTD20N03L27T4G
| 价 格： | 0.10 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 产品类型： | 功率二极管 | |
| 是否进口： | 是 | |
| 品牌/商标： | 0N/安森美 | |
| 型号/规格： | NTD20N03L27T4G | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 主要参数： | 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 27 毫欧 @ 10A, 5V | |
| 用途： | 1.75W 功率 家庭 | |
| 备注： | Id 时的 Vgs(th)（） 2V @ 250µA |
数据列表 NTD20N03L27
产品相片 TO-252
标准包装 2,500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 27 毫欧 @ 10A, 5V
Id 时的 Vgs(th)（） 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 18.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1260pF @ 25V
功率 - 1.75W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 DPAK-3
包装 带卷 (TR)
功率MOSFET
20安培,30伏,N DPAK?频道
这种逻辑水平垂直功率MOSFET是一个通用目的的部分
这提供了“的设计”在今日推出一个低成本的能力
包。雪崩能源问题使这部分的一个理想的设计。
流失到源二极管有一个理想的速度,但疲弱的经济复苏
特性
免费可用的包
超?低RDS(在)、单基地,先进的技术
香料参数可用
二极管的特点是使用?在桥电路
IDSS和VDS()指定的高温
高雪崩能源指定
JEDAC?ESD额定HBM类1,MM甲级、CDM 0级
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(Io) 1A；快速恢复 500 ns，> 200mA (Io) RGL41J
信息内容：数据列表 RGL41A - 41M标准包装 4,000类别 分离式半导体产品家庭 单二极管/整流器系列 -二极管类型 标准电压 - (Vr)（） 600V电流 - 平均整流 (Io) 1A；电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（） 1.3V @ 1A速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA (Io)反向恢复时间(trr) 250ns电流 - 在 Vr 时反向漏电 5µA @ 600V电容@ Vr, F -安装类型 表面贴装封装/外壳 DO-213AB, MELF供应商设备封装 DO-213AB包装 带卷 (TR) 特性Superectifier结构高可靠性条件理想的自动放置快速切换为效率高低漏电流高向前激增的能力符合环境标准MIL - S - 19500符合韩剧级别1,每J - STD - 020,如果的峰值250°CAEC-Q101合格符合RoHS指令2002/95 / EC和根据2002/96 / EC的报废电子电气 由于价格有波动幅度，本公司均已0.1代替所有产品，如需采购请加及时联系本公司深圳市广鑫世纪电子有限公司电话：0755-88824483传真：82570181联系电话：18923788872Email:raoxiao@smk-ic.comQQ:2316489399本公司诚信经营，可开17%增值税票
