供应 场效应管 TK12A65D,TK12A65,K12A65D
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK12A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,12A,0.54Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
产品型号:TK12A65D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):12
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.54 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):2300 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):611
导通延迟时间Td(on)(ns):35 typ.
上升时间Tr(ns):90 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ.
下降时间Tf(ns):150 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK5A65D,TK5A65,K5A65D
信息内容：产品型号:TK5A65D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.43 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):40 输入电容Ciss(PF):800 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):180 导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ. 上升时间Tr(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ. 下降时间Tf(ns):12 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:650V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 AO4410,4410
信息内容：产品型号:AO4410 封装:SOP-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):18 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):1.5 功率PD(W):3 输入电容Ciss(PF):9130 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273 导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ. 上升时间Tr(ns):7 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):99 typ. 下降时间Tf(ns):13 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,18A N-沟道增强型场效应晶体管
