供应 场效应管 AO3420,AO3414,AO3414L
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AO3420,AO3414 | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
AO3420
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
VDS(V) = 20V
ID= 6 A (VGS= 10V)
RDS(ON) < 24m Ω (VGS= 10V)
RDS(ON) < 27mΩ (VGS= 4.5V)
RDS(ON) < 42mΩ (VGS= 2.5V)
RDS(ON) < 55mΩ (VGS= 1.8V)
AO3414
N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeatures
VDS(V) = 20V
ID= 4.2 A (VGS= 4.5V)
RDS(ON) < 50mΩ (VGS= 4.5V)
RDS(ON) < 63mΩ (VGS= 2.5V)
RDS(ON) < 87mΩ (VGS= 1.8V)
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK12A65D,TK12A65,K12A65D
信息内容：产品型号:TK12A65D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.54 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):2300 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):611 导通延迟时间Td(on)(ns):35 typ. 上升时间Tr(ns):90 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ. 下降时间Tf(ns):150 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:650V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 TK5A65D,TK5A65,K5A65D
信息内容：产品型号:TK5A65D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.43 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):40 输入电容Ciss(PF):800 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):180 导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ. 上升时间Tr(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ. 下降时间Tf(ns):12 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:650V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
