供应 场效应管 SI2300,SI2302,2300,2302
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SI2300,SI2302 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
产品型号:SI2300
封装:SOT-23
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):6
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):1
功率PD(W):1.25
输入电容Ciss(PF):550 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.
上升时间Tr(ns):6 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):19 typ.
下降时间Tf(ns):7 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:20V,6A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SI2306,SI2314,2306,2310
信息内容：深圳市金城微现货供应 SI2300,SI2301,SI2302,SI2303,SI2306,SI2314,AO3400,AO3401....等SOT-23系列产品，价格优惠，质量保证！ 产品型号:SI2306 封装:SOT-23 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):3.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.057 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):1.25 输入电容Ciss(PF):555 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ. 上升时间Tr(ns):7.5 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ. 下降时间Tf(ns):5.2 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,3.5A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 SI2307DS,SI2307,2307
信息内容：深圳市金城微现货供应 SI2300,SI2301,SI2302,SI2303,SI2306,si2307,SI2314,AO3400,AO3401....等SOT-23系列产品，价格优惠，质量保证！ 产品型号:SI2307DS 封装:SOT-23 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-3A 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.08 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):1.25 输入电容Ciss(PF):565 typ. 通道极性:p沟道 导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ. 上升时间Tr(ns):9 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):27 typ. 下降时间Tf(ns):7 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:-30V,-3A P-沟道增强型场效应晶体管
