供应 场效应管 SI2305,2305,SI2341,2341
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SI2305 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
产品型号:SI2305
封装:SOT-23
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):-4A
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.055 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):0.83
输入电容Ciss(PF):1135 typ.
通道极性:p沟道
导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.
上升时间Tr(ns):7 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):72 typ.
下降时间Tf(ns):45 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:-20V,-4A P-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SI2301,SI2303,2301,2303
信息内容：深圳市金城微现货供应 SI2300,SI2301,SI2302,SI2303,AO3400,AO3401....等SOT-23系列产品，价格优惠，质量保证！ 产品型号:SI2301 封装:SOT-23 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):-2.5A 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.11 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):0.83 输入电容Ciss(PF):360 typ. 通道极性:p沟道 导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ. 上升时间Tr(ns):7 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):18 typ. 下降时间Tf(ns):8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:-20V,-2.5A P-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 SI2300,SI2302,2300,2302
信息内容：产品型号:SI2300 封装:SOT-23 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):1.25 输入电容Ciss(PF):550 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ. 上升时间Tr(ns):6 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):19 typ. 下降时间Tf(ns):7 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:20V,6A N-沟道增强型场效应晶体管
