供应 场效应管 CMU2N60,KIA2N60HU,2N60
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CMU2N60,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,2A,5Ω | |
| 品牌/商标： | CMOSFET/KIA | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 |
产品型号:CMU2N60
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):2
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):220 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):120
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管
产品型号:KIA2N60HU
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):2
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4.4 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):54
输入电容Ciss(PF):330 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):48
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CMU5N50
信息内容：产品型号:CMU5N50 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):4.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):800 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):500 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,4.5A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 SI2305,2305,SI2341,2341
信息内容：产品型号:SI2305 封装:SOT-23 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):-4A 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.055 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):0.83 输入电容Ciss(PF):1135 typ. 通道极性:p沟道 导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ. 上升时间Tr(ns):7 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):72 typ. 下降时间Tf(ns):45 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:-20V,-4A P-沟道增强型场效应晶体管
