供应 场效应管 FDP2532,FDP79N15,STP80NF12
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FDP2532,TO-220,MOS,150V,79A | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
FDP2532,FAIRCHILD,TO-220,DIP/MOS,N场,150V,79A,0Ω
dzsc/18/8335/18833599.jpg
SUP60N10-16L-E3,VISHAY,TO-220,DIP/MOS,N场,100V,60A,0.016Ω
FDP3652,FAIRCHILD,TO-220,DIP/MOS,N场,100V,61A,0.016Ω
IPP12CN10LG,infineon,TO-220,DIP/MOS,N场,100V,69A,0.012Ω
RFP70N10,HARRIS/哈里斯,TO-220,DIP/MOS,N场,100V,70A,0Ω
IRFB4710,IR,TO-220,DIP/MOS,N场,100V,75A,0.014Ω
IRFB4321PbF,IR,TO-220,DIP/MOS,N场,150V,83A,0.015Ω
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CMU2N60,KIA2N60HU,2N60
信息内容：产品型号:CMU2N60 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):220 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):120 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管 产品型号:KIA2N60HU 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4.4 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):54 输入电容Ciss(PF):330 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：10 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):48 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 CMU5N50
信息内容：产品型号:CMU5N50 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):4.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):800 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):500 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,4.5A N-沟道增强型场效应晶体管
