供应 场效应管 CED41A2
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CED41A2 | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 4K/盒 | |
| 功率特征： | 小功率 |
产品型号:CED41A2
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):36
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 4.5V
开启电压VGS(TH)(V):1.5
功率PD(W):43
极间电容Ciss(PF):2100
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：15
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:20V,36A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSS2N90A,SSS5N90A,SSS2N90
信息内容：型号：SSS2N90A 品牌：FAIRCHILD 封装:TO-220F 参数:900V,2A SSS3N90A 品牌：FAIRCHILD 封装:TO-220F 参数:900V,3A 深圳市金城微零件有限公司是一家代理经营半导体电子元件公司，是深圳电子商会常务理事单位,代理场效应管(2N60 4N60 7N60 5N60 75N75 3205 830等),快恢复，肖特基 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FQPF6N90C,FQPF6N90,SSS4N90
信息内容：产品型号:FQPF6N90C 封装:to-220f 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.3 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):56 输入电容Ciss(PF):1360 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):650 导通延迟时间Td(on)(ns):35 typ. 上升时间Tr(ns):90 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):55 typ. 下降时间Tf(ns):60 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:900V,6A N-沟道增强型场效应晶体管
