供应 场效应管 FQPF6N90C,FQPF6N90,SSS4N90
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FQPF6N90C | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 | |
| 功率特征： | 大功率 |
产品型号:FQPF6N90C
封装:to-220f
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):6
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.3 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):56
输入电容Ciss(PF):1360 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):650
导通延迟时间Td(on)(ns):35 typ.
上升时间Tr(ns):90 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):55 typ.
下降时间Tf(ns):60 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:900V,6A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 FQPF10N20C,FQPF32N20C,FQPF10N20
信息内容：型号:FQPF10N20C 品牌:FAIRCHILD 封装:TO-220F 类型：DIP/MOS 极性:N场 参数:200V,9.5A,0.36Ω 型号:FQPF32N20C 品牌:FAIRCHILD 封装:TO-220F 类型：DIP/MOS 极性:N场 参数:200V,28A,0.082Ω 深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon,FAIRCHILD,ST,IR, SANYO, TOSHIBA,FUJI等国际品牌，经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，主要应用于开关电源（如充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯、HID灯系列等）、电池保护、机顶盒、电脑主板、显卡、液晶、玩具遥控飞机、遥控船等。 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FQP10N15,FQP10N20,FQP18N20
信息内容：型号:FQP10N15 品牌:FAIRCHILD 封装:TO-220 备注：DIP/MOS,N场,150V,10A,0Ω 型号:FQP10N20 品牌:FAIRCHILD 封装:TO-220 备注：DIP/MOS,N场,200V,10A,0.36Ω 型号:FQP18N20 品牌:FAIRCHILD 封装:TO-220 备注：DIP/MOS,N场,200V,18A,0.11Ω (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
