供应 场效应管 CMD06N02N,CMU06N02N
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CMD06N02N,SOT-252,SMD/MOS,N场,68V,80A, | |
| 品牌/商标： | CMOSFET | |
| 封装形式： | SOT-252/TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片/直插 | |
| 包装方式： | 单件包装 |
产品型号:CMD06N02N,
封装:SOT-252
类型:SMD/MOS
极性:N场
参数：68V,80A
产品型号:CMD06N02N
封装:TO-251
类型:DIP/MOS
极性:N场
参数：68,80A
金城微:零件在珠三角地区现已建立4个营业网点，服务范围辐射珠三角、遍及全国各个地区，为终端生产厂商提供元器件一站式服务。金城微零件坐落于福田区华富路航都大厦，设有业务部，外贸部，财务部，技术部，物流部等主要部门。公司在新亚洲电子商城一期和都会电子城设有门市部，长期备有大量现货，竭诚为广大客户提供便利、优质、高效、及时的服务。公司整个团队本着诚信务实的理念，以卓越品质和优质服务在业界赢得了广泛认可。
凭借丰富的行业经验、成熟的营销网络、雄厚的技术力量、并拥有大量库存现货，以及的行业办公软件，公司未来将着力建设更多的服务网点，力争“零距离”为客户提供、完善的技术和服务。
金城微零件一如既往以“品质保证市场 诚信决定未来”为宗旨，一直在稳定、持续、快速的发展，正努力为推动半导体行业进步尽微薄之力，并把促进行业的发展作为企业责任。我们坚信发展是硬道理，合作是成功的桥梁。诚意欢迎各位同行、有志之士加入合作，共创新优势。
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CMP60N04,CMP60N06
信息内容：产品型号:CMP60N04 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):60 开启电压VGS(TH)(V):4 产品型号:CMP60N06 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):60 开启电压VGS(TH)(V):4 金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。网站： http://www.chinajincheng.com
供应 场效应管 CED41A2
信息内容：产品型号:CED41A2 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):36 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 4.5V 开启电压VGS(TH)(V):1.5 功率PD(W):43 极间电容Ciss(PF):2100 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：15 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 温度(℃): -55 ~175 描述:20V,36A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
