供应 场效应管 CMB80N70,CMB80N06
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CMB80N70,SOT-263,SMD/MOS,N场,68V,80A, | |
| 品牌/商标： | CMOSFET | |
| 封装形式： | SOT-263 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 800/盘 |
产品型号:CMB80N70
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):68
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.008 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
通道极性:N沟道
应用：
电机控制
DC-DC变换器
开关应用
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 CMB7N60,KIA7N60HB,7N60
信息内容：产品型号:CMB7N60 封装:SOT-263 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):7 产品型号:KIA7N60HB 封装:SOT-263 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):7.4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.1 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):142 输入电容Ciss(PF):1130 typ. 通道极性:N沟道 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):580 导通延迟时间Td(on)(ns):70 typ. 上升时间Tr(ns):170 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):140 typ. 下降时间Tf(ns):130 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,7A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 CMD06N02N,CMU06N02N
信息内容：产品型号:CMD06N02N, 封装:SOT-252 类型:SMD/MOS 极性:N场 参数：68V,80A 产品型号:CMD06N02N 封装:TO-251 类型:DIP/MOS 极性:N场 参数：68,80A 金城微:零件在珠三角地区现已建立4个营业网点，服务范围辐射珠三角、遍及全国各个地区，为终端生产厂商提供元器件一站式服务。金城微零件坐落于福田区华富路航都大厦，设有业务部，外贸部，财务部，技术部，物流部等主要部门。公司在新亚洲电子商城一期和都会电子城设有门市部，长期备有大量现货，竭诚为广大客户提供便利、优质、高效、及时的服务。公司整个团队本着诚信务实的理念，以卓越品质和优质服务在业界赢得了广泛认可。 凭借丰富的行业经验、成熟的营销网络、雄厚的技术力量、并拥有大量库存现货，以及的行业办公软件，公司未来将着力建设更多的服务网点，力争“零距离”为客户提供、完善的技术和服务。 金城微零件一如既往以“品质保证市场 诚信决定未来”为宗旨，一直在稳定、持续、快速的发展，正努力为推动半导体行业进步尽微薄之力，并把促进行业的发展作为企业责任。我们坚信发展是硬道理，合作是成功的桥梁。诚意欢迎各位同行、有...
