供应 场效应管 CMD2N60
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CMD2N60 | |
| 品牌/商标： | CMOSFET | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon（英飞凌）, FAIRCHILD（仙童）, ST（意法半导体）, IR（美国国际整流器件）, VISHAY(威世), TOSHIBA（东芝）, FUJI（富士电机）等国际品牌，经营各种直插和贴片系列场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复等元件，主要应用于太阳能、电动车控制器，LED照明电源、电源适配器、逆变器、节能灯镇流器等领域。
金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，特别专注于贴片系列场效应管。贴片封装系列产品（SOT-252，SOP-8，PG-TDSON-8）在锂电池保护板、航模无刷电调、电脑主板、电动玩具、遥控飞机船等领域的应用更为显著。我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。
公司现拥有一支朝气蓬勃、团结进取的团队。公司的不断发展和壮大，吸引了大批人才的纷纷加入。“天高任鸟飞，海阔凭鱼跃” 近年来公司推行现代化管理，为员工提供更加广阔的发展平台，把“我帮你进步”作为管理者的责任，将“企业回报社会”作为企业价值体现的最终目标。
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 CMB80N70,CMB80N06
信息内容：产品型号:CMB80N70 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):68 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.008 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 通道极性:N沟道 应用： 电机控制 DC-DC变换器 开关应用 金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，特别专注于贴片系列场效应管。贴片封装系列产品（SOT-252，SOP-8，PG-TDSON-8）在锂电池保护板、航模无刷电调、电脑主板、电动玩具、遥控飞机船等领域的应用更为显著。我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。
供应 场效应管 CMB7N60,KIA7N60HB,7N60
信息内容：产品型号:CMB7N60 封装:SOT-263 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):7 产品型号:KIA7N60HB 封装:SOT-263 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):7.4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.1 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):142 输入电容Ciss(PF):1130 typ. 通道极性:N沟道 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):580 导通延迟时间Td(on)(ns):70 typ. 上升时间Tr(ns):170 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):140 typ. 下降时间Tf(ns):130 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,7A N-沟道增强型场效应晶体管
