供应 场效应管 2SK1982-01MR,2SK1982,K1982
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK1982-01MR | |
| 品牌/商标： | FUJITSU(富士通) | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:2SK1982-01MR
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.76 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3.5
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):1500 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.
上升时间Tr(ns):40 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):70 typ.
下降时间Tf(ns):60 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,10A N-沟道增强型场效应晶体管
特点
。高速开关
。低导通电阻
。无二次击穿
。低驱动功率
。高电压
应用
。开关稳压器
。UPS
。 DC-DC变换器
。通用功率放大器
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 2SK2876,2SK2876-01MR,K2876
信息内容：产品型号:2SK2876-01MR 封装:TO-220F 标记:K2876 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±35 漏极电流Id(A):6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):30 输入电容Ciss(PF):540 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):196.9 导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ. 上升时间Tr(ns):40 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):30 typ. 下降时间Tf(ns):25 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,6A N-沟道增强型场效应晶体管 特点 。高速开关 。低导通电阻 。无二次击穿 。低驱动功率 。高电压 。VGS =±30V 。重复的额定雪崩 应用 。开关稳压器 。UPS 。 DC-DC变换器 。通用功率放大器
供应 场效应管 2SK4012,K4012
信息内容：产品型号:2SK4012 封装:TO-220F 标记:K4012 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):13 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):2400 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：8.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1170 导通延迟时间Td(on)(ns):70 typ. 上升时间Tr(ns):25 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):95 typ. 下降时间Tf(ns):10 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,13A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications
