价 格: | 面议 | |
型号/规格: | 2SK962-01 | |
品牌/商标: | FUJITSU(富士通) | |
封装形式: | TO-3P | |
环保类别: | 普通型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 500/盒 |
产品型号:2SK962-01
封装:TO-3P
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):150
输入电容Ciss(PF):1400 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.
上升时间Tr(ns):230 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):300 typ.
下降时间Tf(ns):160 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:900V,8A N-沟道增强型场效应晶体管
特点
。高速开关
。低导通电阻
。无二次击穿
。低驱动功率
。高电压
应用
。开关稳压器
。UPS
。 DC-DC变换器
。通用功率放大器
如需了解更多的产品信息,直接与我司工作人员联系!
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
产品型号:2SK2640-01MR 封装:TO-220F 标记:K2640 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±35 漏极电流Id(A):10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.9 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):950 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):77.6 导通延迟时间Td(on)(ns):25 typ. 上升时间Tr(ns):70 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):70 typ. 下降时间Tf(ns):45 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,10A N-沟道增强型场效应晶体管 特点 。高速开关 。低导通电阻 。无二次击穿 。低驱动功率 。高电压 。VGS =±30V 。重复的额定雪崩 应用 。开关稳压器 。UPS 。 DC-DC变换器 。通用功率放大器
产品型号:2SK1982-01MR 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.76 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3.5 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):1500 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):10 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ. 上升时间Tr(ns):40 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):70 typ. 下降时间Tf(ns):60 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,10A N-沟道增强型场效应晶体管 特点 。高速开关 。低导通电阻 。无二次击穿 。低驱动功率 。高电压 应用 。开关稳压器 。UPS 。 DC-DC变换器 。通用功率放大器