供应 场效应管 FDB7030BL,FDB7030,HUF76129S3S
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FDB7030BL | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | SOT-263 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 800/盘 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:FDB7030BL
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
漏极电流Id(A):60
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.009
开启电压VGS(TH)(V):3
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:30V,60A N-Channel 功率MOSFET
产品型号:HUF76129S3S
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
漏极电流Id(A):56
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.016
开启电压VGS(TH)(V):3
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:30V,56A N-Channel 功率MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK5A50D,TK5A50,K5A50D
信息内容：产品型号:TK5A50D 封装:TO-220F 标记:K18A50D 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.4 功率PD(W):35 输入电容Ciss(PF):490 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：3 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):150 导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ. 上升时间Tr(ns):18 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):55 typ. 下降时间Tf(ns):8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,5A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TK7A50D,K7A50D,TK7A50
信息内容：产品型号:TK7A50D 封装:TO-220F 标记:K7A50D 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):7 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.22 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.4 功率PD(W):35 输入电容Ciss(PF):600 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):129 导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ. 上升时间Tr(ns):18 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):55 typ. 下降时间Tf(ns):8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,7A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications
