供应 场效应管 TK7A50D,K7A50D,TK7A50
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK7A50D,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,7A,1.22Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
产品型号:TK7A50D
封装:TO-220F
标记:K7A50D
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):7
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.22 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.4
功率PD(W):35
输入电容Ciss(PF):600 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：2.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):129
导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.
上升时间Tr(ns):18 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):55 typ.
下降时间Tf(ns):8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,7A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK18A50D,K18A50D,TK18A50
信息内容：产品型号:TK18A50D 封装:TO-220F 标记:K18A50D 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):18 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.27 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):2600 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：8.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):533 导通延迟时间Td(on)(ns):100 typ. 上升时间Tr(ns):50 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ. 下降时间Tf(ns):25 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,18A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications
供应 场效应管 2SK514,K514
信息内容：产品型号:2SK121 封装:TO-92 源漏极间雪崩电压VDGO(V):30 漏极电流Id(A):0.02 VGS(OFF)(V):-1.49 功率PD(W):0.3 电容Crss(PF):2.4 通道极性:N沟道 温度(℃): -50 ~120 描述:30V,0.02A N-沟道结型场效应晶体管 应用：对于低频率，低噪声放大器和高频放大器 深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon（英飞凌）, FAIRCHILD（仙童）, ST（意法半导体）, IR（美国国际整流器件）, VISHAY(威世), TOSHIBA（东芝）, FUJI（富士电机）等国际品牌，经营各种直插和贴片系列场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复等元件，主要应用于太阳能、电动车控制器，LED照明电源、电源适配器、逆变器、节能灯镇流器等领域。
