供应 场效应管 FQPF7N80C,FQPF8N80C,FQPF8N80
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FQPF7N80C | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 | |
| 功率特征： | 大功率 |
<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！
全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:FQPF7N80C
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):.6.6
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.9
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):56
极间电容Ciss(PF):1680
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150
描述:800V, 6.6A N-Channel 功率MOSFET
产品型号:FQPF8N80C
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):.8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.55
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):59
极间电容Ciss(PF):2050
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150
描述:800V, 8A N-Channel 功率MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 FQPF4N90C,SSS4N90A,FQPF4N90
信息内容：<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！ 全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话 MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FQPF4N90C 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4.2 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):47 极间电容Ciss(PF):960 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150 描述:900V, 4A N-Channel 功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FDB6670AL,FDB6670,FDB8860
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FDB6670AL 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0065 开启电压VGS(TH)(V):3 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:30V,80A N-Channel 功率MOSFET 产品型号:FDB8860 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0023 开启电压VGS(TH)(V):3 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:30V,80A N-Channel 功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
