供应 场效应管 FDB6670AL,FDB6670,FDB8860
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FDB6670AL | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | SOT-263 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 800/盘 | |
| 功率特征： | 小功率 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:FDB6670AL
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0065
开启电压VGS(TH)(V):3
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:30V,80A N-Channel 功率MOSFET
产品型号:FDB8860
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0023
开启电压VGS(TH)(V):3
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:30V,80A N-Channel 功率MOSFET
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 ISL9N306AS3ST,ISL9N306,N306AS
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:ISL9N306AS3ST 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 漏极电流Id(A):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 开启电压VGS(TH)(V):3 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:30V,75A N-Channel 功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 ISL9N304AS3ST,ISL9N304,N304AS
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:ISL9N304AS3ST 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 漏极电流Id(A):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0045 开启电压VGS(TH)(V):3 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:30V,75A N-Channel 功率MOSFET 如需了解更多的产品信息: 1、直接与我司工作人员联系! (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
