2SK2837 2SK4108代替品MDQ18N50G
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | MAGNACHIP | |
| 型号： | MDQ18N50G | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
MDQ18N50G N-Channel MOSFET 500V, 20.0 A, 0.27Ω VDS = 500V ID = 20.0A @VGS = 10V RDS(ON) ≤ 0.27 VGS = 10V, VDS = 250V, ID = 20A,MDQ18N50G可以完全代替东芝的2SK2837 2SK4108 IRFP460等，主要用于逆变电源、大功率充电机
、电焊机等产品上，公司大量现货供应，品质优，价格好。
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原装供应美国仙童IGBT单管 SGH80N60UFD TO-3PN
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原装供应SIHG20N50C-E3
信息内容：SiHG20N50C TO-247 20A 500V 可以代替IRFP460PBF 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。新的SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)和SiHG20N50C具有500V的额定电压，在10V栅极驱动下的导通电阻仅有0.27Ω。低RDS(on)意味着更低的传导损 耗，从而为各种电子系统中的功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PMW)应用节约能量，这些应用包括LCD TV、PC机、服务器、通信系统和焊接机器。除了低导通电阻，这些器件的栅电荷只有65nC。栅电荷与导通电阻的乘积是评价用于功率转换应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)，这些器件的品质因数只有17.75。为提高操作的可靠性，器件经过了100%的雪崩测试，可承受高单脉冲(EAS)和反复(EAR)雪崩能量。器件可处理72A的脉冲电流和18A的连续电 流。所有这三款器件均具有有效的输出电容规格。与前一代500V功率MOSFET相比，新器件在跨导和反向恢复特性上也有所改进。关键器件指标：
