原装供应SIHG20N50C-E3
| 价 格： | 6.40 | |
| 品牌： | Vishay/威世通 | |
| 型号： | SIHG20N50C-E3 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
SiHG20N50C TO-247 20A 500V 可以代替IRFP460PBF
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。
新的SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)和SiHG20N50C具有500V的额定电压，在10V栅极驱动下的导通电阻仅有0.27Ω。低RDS(on)意味着更低的传导损 耗，从而为各种电子系统中的功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PMW)应用节约能量，这些应用包括LCD TV、PC机、服务器、通信系统和焊接机器。
除了低导通电阻，这些器件的栅电荷只有65nC。栅电荷与导通电阻的乘积是评价用于功率转换应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)，这些器件的品质因数只有17.75。
为提高操作的可靠性，器件经过了100%的雪崩测试，可承受高单脉冲(EAS)和反复(EAR)雪崩能量。器件可处理72A的脉冲电流和18A的连续电 流。所有这三款器件均具有有效的输出电容规格。与前一代500V功率MOSFET相比，新器件在跨导和反向恢复特性上也有所改进。
关键器件指标：
上海贯翼电子有限公司
公司信息未核实
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信息内容：典型下落时间 360ns 典型接通时延 75ns 典型断开时延 350ns 安装 通孔 工作温度 175°C 漏极源极电压 100V 漏极源极电阻 0.01Ω 连续漏极电流 140A 门源电压 ±25V 最小工作温度 -55°C 每芯片单元数目 1 类别 功率 MOSFET 通道方式 增强功能 通道类型 N 配置 单路
