供应 场效应管 BSC052N03LSG,052N03LS,BSC052N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC052N03LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,57A. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
BSC052N03LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,57A,0.0052Ω
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 30 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 57 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 228 | A |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 28 | W |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2.2 | V |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=35A, RGS=25Ω | 35 | mJ |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=30A | 5.2 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz | 770 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A | 75 | S |
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供应 场效应管 BSC018NE2LSI,018NE2LI
信息内容：BSC018NE2LSI,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.0018Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=10mA 25 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 45 mJ Gate source voltage VGS ±20 V ...
供应 ST场效应管 STF11NM80
信息内容：产品型号:STF11NM80 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):11 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):35 输入电容Ciss(PF):1630 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):400 导通延迟时间Td(on)(ns):22 typ. 上升时间Tr(ns):17 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):46 typ. 下降时间Tf(ns):15 typ. 温度(℃): -65 ~150 描述:800V,11A N-沟道增强型场效应晶体管 产品特点： .低输入电容和闸电荷 .低栅极输入电阻 .的RDS（on）和 Qg 应用: .开关应用 .电子镇流器 经营：各种场效应管、IGBT、三极管、肖特基、快恢复、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC等.. 品牌: AO IR ON ST TOSHIBA/东芝 FAIRCHILD/仙童 SANYO/三洋 infineon/英飞凌 FUJ/富士电机 NEC KEC AP/富鼎 深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部：深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部：深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室 ...
