供应 场效应管 BSC118N10NSG,118N10NS,BSC118N10
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC118N10NSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,100V,71A,0.0118Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC118N10NSG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):155
漏极电流Id(A):71
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0118 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):114
极间电容Ciss(PF):2800
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：65
温度(℃): -55 ~150
描述:100V,71A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
Features
? N-channel, normal level
? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
? Very low on-resistance RDS(on)
? 150 °C operating temperature
? Pb-free lead plating; RoHS compliant
? Qualified according to JEDEC for target application
? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC060N10NS3G,060N10NS,BSC060N10
信息内容：型 号：BSC060N10NS3G 标 记: 060N10NS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 100 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 90 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 360 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω ...
供应 场效应管 BSC052N03LSG,052N03LS,BSC052N03
信息内容：BSC052N03LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,57A,0.0052Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 57 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 228 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 28 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate threshold voltag...
