供应 场效应管 BSC014NE2LSI,014NE2LI
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC014NE2LSI,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.0014Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
BSC014NE2LSI,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.0014Ω
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=10mA | 25 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 100 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 400 | A |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=50A, RGS=25Ω | 50 | mJ |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 74 | W |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2 | V |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=30A | 1.4 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=12V, f=1MHz | 2700 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A | 140 | S |
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC118N10NSG,118N10NS,BSC118N10
信息内容：产品型号:BSC118N10NSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):155 漏极电流Id(A):71 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0118 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):114 极间电容Ciss(PF):2800 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：65 温度(℃): -55 ~150 描述:100V,71A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET Features ? N-channel, normal level ? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) ? Very low on-resistance RDS(on) ? 150 °C operating temperature ? Pb-free lead plating; RoHS compliant ? Qualified according to JEDEC for target application ? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 BSC060N10NS3G,060N10NS,BSC060N10
信息内容：型 号：BSC060N10NS3G 标 记: 060N10NS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 100 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 90 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 360 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω ...
