供应 场效应管 BSC067N06LS3G,067N06LS,BSC067N06
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC067N06LS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,50A. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
| 型 号：BSC067N06LS3G | ||||
| 标 记: 067N06LS | ||||
| 类 型：场效应管 | ||||
| 通道极性: N通道 | ||||
| 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | ||||
| 备 注： | ||||
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 60 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 50 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 200 | A |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=50A, RGS=25Ω | 47 | mJ |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 69 | W |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=35µA | 2.2 | V |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=50A | 6.7 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=30V, f=1MHz | 3800 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A | 77 | S |
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供应 场效应管 BSC019N02KSG,019N02KS,BSC019N02
信息内容：BSC019N02KSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,20V,100A,0.002Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 20 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 800 mJ Gate source voltage VGS ±12 V ...
供应 场效应管 BSC018N04,018N04LS,BSC018N04LSG
信息内容：BSC018N04LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,40V,100A,0.0018Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 40 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 295 mJ Gate source voltage VGS ±20 V ...
