供应 场效应管 BSC025N03LSG,025N03LS,BSC025N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC025N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,100A | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC025N03LSG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):135
漏极电流Id(A):100
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0025 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):83
极间电容Ciss(PF):4600
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：110
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,100A N-channel OptiMOS Power-MOSFET
Features
? Fast switching MOSFET for SMPS
? Optimized technology for DC/DC converters
? Qualified according to JEDEC for target applications
? N-channel
? Logic level
? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
? Very low on-resistance RDS(on)
? Superior thermal resistance
? Avalanche rated
? Pb-free plating; RoHS compliant
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC067N06LS3G,067N06LS,BSC067N06
信息内容：型 号：BSC067N06LS3G 标 记: 067N06LS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 60 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 50 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 200 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω ...
供应 场效应管 BSC019N02KSG,019N02KS,BSC019N02
信息内容：BSC019N02KSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,20V,100A,0.002Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 20 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 800 mJ Gate source voltage VGS ±12 V ...
