供应 场效应管 BSC042N03S G,042N03S,BSC042N03SG
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC042N03SG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,30V,95A | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC042N03S G
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):280
漏极电流Id(A):95
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.002 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):62.5
极间电容Ciss(PF):2750 TYP
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：98
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,95A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP2763I-A,AP2763I,2763I
信息内容：产品型号:AP2763I-A 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):750 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.45 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):50 极间电容Ciss(PF):1880 TYP. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：7 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):32 温度(℃): -55 ~150 描述:750V,8A N Channel POWER MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 BSC019N04NSG,019N04NS,BSC019N04
信息内容：产品型号:BSC019N04NSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):295 漏极电流Id(A):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0019 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):125 极间电容Ciss(PF):8800 TYP 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：120 温度(℃): -55 ~150 描述:40V,100A, OptiMOS Power-Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
