供应 场效应管 AP2763I-A,AP2763I,2763I
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP2763I-A,TO-220F,DIP/MOS,N场,750V,8A,1.45Ω | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 | |
| 功率特征： | 大功率 |
产品型号:AP2763I-A
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):750
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.45 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):50
极间电容Ciss(PF):1880 TYP.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):32
温度(℃): -55 ~150
描述:750V,8A N Channel POWER MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC019N04NSG,019N04NS,BSC019N04
信息内容：产品型号:BSC019N04NSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):295 漏极电流Id(A):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0019 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):125 极间电容Ciss(PF):8800 TYP 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：120 温度(℃): -55 ~150 描述:40V,100A, OptiMOS Power-Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 BSC120N03MSG,120N03MS,BSC120N03
信息内容：产品型号:BSC120N03MSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):10 漏极电流Id(A):39 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):28 极间电容Ciss(PF):1100 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：50 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,39A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
