供应 场效应管 BSC042NE7NS3G,042NE7NS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC042NE7NS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,75V,100A,0.0042Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
| 型 号：BSC042NE7NS3G | ||||
| 标 记: 042NE7NS | ||||
| 类 型：场效应管 | ||||
| 通道极性:N通道 | ||||
| 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | ||||
| 备 注： | ||||
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 75 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 100 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 400 | A |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=50A, RGS=25Ω | 220 | mJ |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 125 | W |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=91µA | 3.8 | V |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=50A | 4.2 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=37.5V, f=1MHz | 3600 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A | 89 | S |
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC016N03,016N03MS,BSC016N03MSG
信息内容：BSC016N03MSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,,30V,100A,0.0016Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25? 340 mJ Power dissipation Ptot TC=25℃ 125 W Gate source voltage ...
供应 场效应管 CEP3205
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEP3205 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):108.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0085 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):200 极间电容Ciss(PF): 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:55V, 108.5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
