供应 场效应管 BSC050NE2LS,050NE2LS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC050NE2LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,58A,0.005Ω. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
BSC050NE2LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,58A,0.005Ω
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=10mA | 25 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 58 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 232 | A |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 28 | W |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2.2 | V |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=35A, RGS=25Ω | 35 | mJ |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=30A | 5 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=12V, f=1MHz | 760 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A | 75 | S |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 BSC042NE7NS3G,042NE7NS
信息内容：型 号：BSC042NE7NS3G 标 记: 042NE7NS 类 型：场效应管 通道极性:N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 75 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 220 ...
供应 场效应管 BSC016N03,016N03MS,BSC016N03MSG
信息内容：BSC016N03MSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,,30V,100A,0.0016Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25? 340 mJ Power dissipation Ptot TC=25℃ 125 W Gate source voltage ...
