让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>双极型功率晶体三极管(开关管)

双极型功率晶体三极管(开关管)

价 格: 0.43

YH13003B

用途:电子节能灯 电子镇流器

特点:耐高压 开关速度快 安全工作区宽 符合RoHs标准

芯片面积:1.43mm*1.43mm

额定值(Tc=25°C)

参数符号额定值单位
集电极-基极电压Vcbo600V
集电极-发射极电压 Vceo400 V
发射极-基极电压 VeboV
集电极电流  Ic1.0A
 集电极耗散功率 Pc30W
 工作温度 Tj150 °C
 贮存温度 Tstg-65-150 °C

 

电特性(Tc=25°C)

参数名称符号测试条件最小值单位
集电极-基极截至电流IcboVcb=600V 100μA
集电极-发射极截至电流Iceo Vce=400V Ib=0  250  μA
集电极-发射极电压VceoIc=10mA Ib=0 400  
发射极-基极电压Vebo Ie=1mA Ic=0  V
 集电极-发射极饱和压降 VcesatIc=200mA Ib=40mA   0.30
发射极-基极饱和压降Vbesat  Ic=200mA Ib=40mA 1.20
 电流放大倍数 hfeVce=10V Ic=100mA 10 40  
 贮存时间ts Vcc=5V  Ic=0.25A 1.53.5

 μS

 下降时间 tf Vcc=5V Ic=0.25A  1.0 μS

中山市古镇辉颖半导体器件厂
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 中山
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 李友秋
  • 电话:86 0760 22313060
  • 传真:86 0760 22313060
  • 手机:
  • QQ :
公司相关产品

MOS场效应管1N60

信息内容:

HN1N60本产品主要特点是开关速度快,主要应用于开关电源、电子镇流器、电子变压器等。芯片面积:1.68*1.31额定值(Tc=25 °C)参数符号额定值单位漏-源电压Vds610 V漏-栅电压Vdgr610 V栅-源电压Vgs±30 V漏极电流(Tc=25°C)Id1 A静态漏-源导通电阻Rds(on)10 Ω耗散功率Pd 50 W 工作温度Tj150 °C贮存温度Tstg -55-150 °C 注明: 1、GATE 栅极 2、DRAIN 漏极 3、SOURCE 源极

详细内容>>

MOS场效应管2N60

信息内容:

HN2N60本产品主要特点是开关速度快,主要应用于开关电源、电子镇流器、电子变压器等。芯片面积:2.80*2.20额定值(Tc=25 °C)参数符号额定值单位漏-源电压Vds610 V漏-栅电压Vdgr610 V栅-源电压Vgs±30 V漏极电流(Tc=25°C)Id2 A静态漏-源导通电阻Rds(on)4.5 Ω耗散功率Pd 70 W 工作温度Tj150 °C贮存温度Tstg -55-150 °C 注明: 1、GATE 栅极 2、DRAIN 漏极 3、SOURCE 源极

详细内容>>

相关产品