MOS场效应管1N60
| 价 格： | 0.42 |
HN1N60
本产品主要特点是开关速度快，主要应用于开关电源、电子镇流器、电子变压器等。
芯片面积：1.68*1.31
额定值（Tc=25 °C)
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
| 漏-源电压 | Vds | 610 | V |
| 漏-栅电压 | Vdgr | 610 | V |
| 栅-源电压 | Vgs | ±30 | V |
| 漏极电流（Tc=25°C) | Id | 1 | A |
| 静态漏-源导通电阻 | Rds(on) | 10 | Ω |
| 耗散功率 | Pd | 50 | W |
| 工作温度 | Tj | 150 | °C |
| 贮存温度 | Tstg | -55-150 | °C |
注明： 1、GATE 栅极
2、DRAIN 漏极
3、SOURCE 源极
中山市古镇辉颖半导体器件厂
公司信息未核实
- 所属城市：广东 中山
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- 联系人： 李友秋
- 电话：86 0760 22313060
- 传真：86 0760 22313060
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